太赫茲器件與應用實驗室瞄準國家在太赫茲波技術領域的重大需求，開展太赫茲/亞毫米波器件的底層關鍵技術研究和應用研究。具體圍繞6G太赫茲通信、雷達成像、等離子體診斷、安檢和工業無損檢測等應用場景，研究高靈敏度混頻探測器等器件物理、高效高功率倍頻與功率放大電路、相干接收機陣列和有源相控陣等關鍵技術。器件與電路研究涉及第三代半導體氮化鎵高電子遷移率晶體管、肖特基勢壘二極管等核心器件及其單片集成電路的設計、仿真、制造和測試驗證，應用技術研究包括太赫茲/亞毫米波組件的集成、光機電集成、電子信息軟硬件系統和現場試驗等。 

　　實驗室根據項目需要，近期擬招聘以下崗位科研人員。  

　　崗位1職責：太赫茲/亞毫米波器件與應用組件研究 

　　崗位1要求：   

　　(1) 博士學位； 

　　(2) 具有較強的微波電磁場、半導體物理或器件物理基礎理論知識； 

　　(3) 具有毫米波/太赫茲探測器相關研究經驗者優先考慮； 

　　(4) 具有較強的團隊合作意識，善于溝通，認真負責，實踐能力強。 

　　崗位2職責：氮化鎵器件工藝技術開發 

　　崗位2要求： 

　　(1) 大專及以上學歷； 

　　(2) 具有一定的半導體物理、材料或半導體器件等基礎知識； 

　　(3) 具有GaN基電子器件等相關工藝經驗者優先考慮； 

　　(4) 具有較強的團隊合作意識，善于溝通，認真負責，動手能力強。  

　　崗位待遇： 

　　(1) 中科院蘇州納米所為國家級事業單位，根據崗位職級提供有競爭性的薪酬待遇。 

　　(2)具有博士學歷的聘用人員可列入中科院特別研究助理（博士后），固定薪酬28萬元，外加績效等獎勵。特別優秀者可獲得30萬人才津貼（江蘇省卓越博士），獲批中科院特別研究助理項目、所“優秀博士后”可獲得12萬人才津貼。業績突出者，博士后出站后可以優先留所工作。園區工作站博士后，出站后在蘇州購房可獲30萬元安家補貼。 

　　(3) 本科及以上學歷，蘇州工業園區提供優租房。  

　　應聘方式：  

　　1. 報名截止時間為：招滿為止。 

　　2. 請應聘者將個人簡歷等（包括研究工作總結，發表論文，推薦聯系人等）以“姓名+博后/實習研究員應聘”為主題發送至hqin2007@sinano.ac.cn。 

　　3. 將電話或E-mail通知初選合格者參加面試。 

　　4. 參加面試初審者需提供：1）學歷、學位證書及復印件；2）專家推薦信和其他可以證明本人能力及水平的相關資料等。